通孔插件焊接可靠性: 焊盤和通孔尺寸的影響-深圳市福英達(dá)
通孔插件焊接可靠性: 焊盤和通孔尺寸的影響
IC芯片通常需要封裝在一個(gè)陶瓷或塑料外殼內(nèi)部以達(dá)到保護(hù)芯片的作用。IC芯片與外部的電通路需要由引腳來(lái)完成，需要引腳與芯片實(shí)現(xiàn)互連。引腳連接可以是通孔插裝形式的也可是表面貼裝形式。在高電壓和高功率的應(yīng)用場(chǎng)景中，使用帶引腳的通孔插裝元件仍然是很好的解決方案。對(duì)于通孔插裝元件而言，焊接往往用到波峰焊技術(shù)，通過(guò)將引腳浸泡在熔融焊錫中從而達(dá)到焊接目的。一系列因素會(huì)對(duì)焊點(diǎn)可靠性帶來(lái)影響，如焊盤和通孔尺寸，PCB表面處理等。本文章簡(jiǎn)單介紹PCB焊盤和通孔參數(shù)設(shè)計(jì)對(duì)通孔插裝元件的無(wú)鉛焊接可靠性的影響。
Sobolewski等人測(cè)試了通孔插件（電阻和IC元件）的波峰焊接可靠性。波峰焊的焊料采用的是SAC305合金，焊接溫度控制在了260℃。熱循環(huán)的溫度區(qū)間和次數(shù)分別為-20-80℃和550次。此外PCB的表面經(jīng)過(guò)熱風(fēng)整平處理，在焊盤表面鍍上無(wú)鉛錫銅鎳保護(hù)層（SnCu0.7Ni0.05）以避免銅氧化。
圖1. 測(cè)試器件在PCB上的布局 (藍(lán)色框)， J: 電阻器（淺藍(lán)）； K: DIP集成電路 (黑色)。
表1. 測(cè)試電阻器和DIP的通孔和焊盤的尺寸。
測(cè)試結(jié)果
Sobolewski等人發(fā)現(xiàn)所有通孔內(nèi)的電阻器引腳均被無(wú)鉛SAC305焊料完整包裹。經(jīng)過(guò)SEM觀察后發(fā)現(xiàn)電阻器J1的焊點(diǎn)幾乎沒有空洞，意味著焊點(diǎn)的強(qiáng)度保持良好。銅表面和焊料之間形成了致密的IMC層(Cu，Ni)6Sn5，且厚度均在2.5-3.5μm的范圍。集成電路K1-K3在焊后可靠性也可接受，銅表面同樣形成了(Cu，Ni)6Sn5層。
圖2. 電阻器J1 (a, b)和J3 (右) 的焊點(diǎn)SEM圖。
富集鎳的(Cu，Ni)6Sn5相在焊料基體中以分散的細(xì)小沉淀形式生長(zhǎng)。重要的是(Cu，Ni)6Sn5相中的鎳成分能夠影響其形態(tài)的變化，并加速(Cu，Ni)6Sn5相的生長(zhǎng)。此外，鎳的存在還遏制了劣性Cu3Sn IMC的生長(zhǎng)。Sobolewski等人還發(fā)現(xiàn)隨著通孔直徑和焊盤尺寸擴(kuò)大， 焊點(diǎn)出現(xiàn)缺陷的可能性增加。電阻器J3的通孔尺寸最大，相應(yīng)的焊接空洞數(shù)量也最多（圖2）。類似的，通孔和焊盤尺寸較大的K2和K3在波峰焊后發(fā)現(xiàn)焊點(diǎn)會(huì)出現(xiàn)更多的空洞甚至出現(xiàn)斷裂現(xiàn)象。
熱循環(huán)測(cè)試
在經(jīng)過(guò)550次熱循環(huán)測(cè)試后，電阻器和集成電路都面臨著更大的失效風(fēng)險(xiǎn)。空洞的數(shù)量隨著熱循環(huán)的進(jìn)行變得更多?？斩丛诶鄯e到一定程度后會(huì)成為微裂痕，導(dǎo)致焊點(diǎn)在外力作用下很容易發(fā)生斷裂。J1-J3都沒有發(fā)現(xiàn)明顯的微裂痕，但J2和J3的空洞數(shù)量更多。K3在熱循環(huán)后出現(xiàn)了焊點(diǎn)裂紋現(xiàn)象，意味著焊點(diǎn)機(jī)械強(qiáng)度下降?？梢姷氖呛副P和通孔尺寸對(duì)焊點(diǎn)可靠性影響很明顯。
圖3， 熱循環(huán)后焊點(diǎn)微觀結(jié)構(gòu), (a) J1; (b ) J2; (c) J3; (右側(cè)) K3。
隨著表面貼裝技術(shù)逐漸替代通孔插裝成為主流，深圳市福英達(dá)為此生產(chǎn)了適用于表面貼裝的超微無(wú)鉛錫膏產(chǎn)品，適用于微間距高密度焊接。錫膏在回流后形成的焊點(diǎn)有著高可靠性和電熱性能。
參考文獻(xiàn)
Sobolewski, M., Wojewoda-Budka, J., Huber, Z., Zieba, P. & Wierzbicka-Miernik, A. (2021). “Solder joints reliability of through hole assemblies with various land and hole design”. Microelectronics Reliability, vol.125.
返回列表
